Détails

Mesure du pouvoir thermoélectrique absolu des matériaux conducteurs et semi-conducteurs

 

Présentation

Ce nouveau dispositif de mesure du PTA (Pouvoir Thermoélectrique Absolu) des matériaux conducteurs et semi-conducteurs met en œuvre le transport électronique comme outil de caractérisation et de contrôle non destructif.

La procédure est simple et applicable à tout type de conducteur et semi-conducteur dans une large gamme de température. Un dispositif léger et portable est fixé sur l’objet à contrôler. En créant une différence de température à sa surface, on détermine le PTA du matériau qui le constitue. L’appareil de mesure comprend deux sondes qui sont mises en contact électrique avec la surface du matériau à caractériser.

Avantages concurrentiels

  • Procédure simple et sans contrainte sur la forme du matériau, possible in situ ;
  • Mesure très rapide (˂2min) ;
  • Aucune contrainte sur le gradient de température ;
  • Mesure précise  (Résolution ultime du PTA : 0,02 µV/K ; Résolution usuelle : 0,2 µV/K).

Applications/Marchés

  • Caractérisations et contrôles non destructifs des matériaux ;
  • Etude du vieillissement et contrôle qualité (impuretés, précipités…) ;
  • Vérification de la conformité d’un matériau, expertise post incident ;
  • Suivi de l’évolution d’un matériau sous l’influence d’un paramètre extérieur (transformation de phase par exemple).

Propriété intellectuelle

  • Brevet délivré : FR 1257261

Laboratoire

Laboratoire LCP-A2MC

 

 

 

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Measurement of absolute thermoelectric power of conductor and semiconductor materials

 

Presentation

This new device can measure the ATP (Absolute Thermoelectric Power) of conductor and semiconductor materials. It enforces electronic transport as a non-destructive characterization and control tool.

The process is simple and can be applied to every conductor and semiconductor along a large temperature range. A light and portative device is fixed on the objet being tested. By creating a temperature difference at its surface, the constituting material ATP can be measured. The measurement device is made of two probes that are put in electrical contact with the analyzed material surface.

Competitive advantages

  • A simple and free of constraint procedure on the material shape, possible in situ;
  • A rapid measurement (˂2min);
  • No constraint on the temperature gradient;
  • A precise measurement (ATP maximum resolution: 0.02 µV/K, usual resolution: 0.2 µV/K)

Applications/Markets

  • Non destructive characterization and control of materials;
  • Aging study and quality control (impurities, precipitates…);
  • Conformity control of a material, post incident expertise;
  • Evolution control of a material under the influence of an external parameter (phase transformation for example).

Intellectual property

Patent delivered: FR 1257261

Laboratory

Laboratoire LCP-A2MC

 

 

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